A5G21H605W19NR3
A5G21H605W19NR3
Part number:
568-A5G21H605W19NR3TR-ND
Product_Category
RF FET、MOSFET
制造商
NXP Semiconductors
类型
RF MOSFET LDMOS
封装
包装
卷带式 (TR)
RoHS:
YES
数量
150
Minimun: 1
multiples: 1
数量
价格
总价
A5G21H605W19NR3 NEWS
Specifications
PDF1
类型描述
制造商NXP Semiconductors
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱OM-780-4S4S
安装类型Surface Mount
频率2.11GHz ~ 2.2GHz
功率输出85W
获得15.1dB
技术GaN
供应商设备包OM-780-4S4S
额定电压125 V
电压 - 测试48 V
当前-测试300 mA
+86-755-8417 5709
lana@oneriverhk.com